没事电影网

MOSFET和IGBT的性能对比详细说明

资料大小: 0.81 MB

所需积分: 2

下载次数:

用户评论: 0条评论,查看

上传日期: 2020-04-08

上 传 者: 他上传的所有资料

资料介绍

标签:

  为适应电力电子装置高频化的要求,电压驱动型器件IGBTMOSFET被广泛应用。这两种器件都是多子器件,无电荷效应,开关速度快,工作频率高,输入高,驱动功率小。MOSFET较IGBT的开关速度更快,更适合高频工作场合。谐振型开关电源没事电影网一般都采用MOSFET。本节分析对比了IGBT和MOSFET的开关损耗产生机理,为LLC谐振变换器工作区域的确定提供了依据。

  MOSFET和IGBT的等效如图2.4所示,两者结构上的主要差异是IGBT比MOSFET增加了一个漏注入区P层,它直接通向集电极]]。这种结构差异决定了MOSFET和IGBT的特性有所不同。MOSFET和IGBT等效电容可以表示为式(2-2)。在开关过程中,等效电容大小随时间变化。器件的输出电容主要是由密勒效应引起的密勒电容,而密勒效应的强弱与反馈电容Cs的大小和器件的放大倍数有关,在放大倍数一定的条件下,Crss越大,密勒效应越强烈,输出电容也越大。

下载地址

MOSFET和IGBT的性能对比详细说明下载

用户评论

查看全部 条评论

发表评论请先 , 还没有账号?。

发表评论

用户评论
技术交流、我要发言! 发表评论可获取积分! 请遵守相关规定。
上传电子资料